Infineon Technologies IRG8CH137K10F IGBT CHIP WAFER

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IRG8CH137K10F

IGBT CHIP WAFER

Hissə nömrəsi

IRG8CH137K10F

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Giriş növü

Standard

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

Die

Güc - Maks

Təchizatçı Cihaz Paketi

Die

Əks Bərpa Müddəti (trr)

Cari - Kollektor (Ic) (Maks.)

150A

Gərginlik - Kollektor Emitentinin Dağılması (Maks.)

1200V

IGBT növü

Vce(on) (Maks) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 150A

Cari - Kollektor Pulsed (Icm)

Enerjinin dəyişdirilməsi

Qapı yükü

820nC

Td (on/off) @ 25°C

115ns/570ns

Test Vəziyyəti

600V, 150A, 2 Ohm, 15V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 53679 PCS

Əlaqə məlumatı