Infineon Technologies IRL80HS120 MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

IRL80HS120

MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN

Hissə nömrəsi

IRL80HS120

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

6-VDFN Exposed Pad

Təchizatçı Cihaz Paketi

6-PQFN (2x2)

Gücün Dağılması (Maks.)

11.5W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

80V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

12.5A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

32 mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

7nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

540pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 45091 PCS

Əlaqə məlumatı