Infineon Technologies SPP20N60C3HKSA1 MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SPP20N60C3HKSA1

MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220

Hissə nömrəsi

SPP20N60C3HKSA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

CoolMOS™

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TO220-3-1

Gücün Dağılması (Maks.)

208W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

20.7A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 13.1A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.9V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

114nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2400pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 20924 PCS

Əlaqə məlumatı