Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
IXFL32N120P

IXFL32N120P

MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK
Hissə nömrəsi
IXFL32N120P
İstehsalçı/Brend
Serial
HiPerFET™, PolarP2™
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Tube
Texnologiya
MOSFET (Metal Oxide)
İşləmə temperaturu
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Through Hole
Paket / Çanta
ISOPLUSi5-Pak™
Təchizatçı Cihaz Paketi
ISOPLUSi5-Pak™
Gücün Dağılması (Maks.)
520W (Tc)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
1200V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
340 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ İd
6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
360nC @ 10V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
21000pF @ 25V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
10V
Vgs (Maks.)
±30V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 10704 PCS
Əlaqə məlumatı
Açar sözlərIXFL32N120P
IXFL32N120P Elektron komponentlər
IXFL32N120P Satış
IXFL32N120P Təchizatçı
IXFL32N120P Distribyutor
IXFL32N120P Məlumat cədvəli
IXFL32N120P Şəkillər
IXFL32N120P Qiymət
IXFL32N120P Təklif
IXFL32N120P Ən aşağı qiymət
IXFL32N120P Axtar
IXFL32N120P Satınalma
IXFL32N120P Çip