IXYS IXFN100N10S1 MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IXFN100N10S1

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Hissə nömrəsi

IXFN100N10S1

İstehsalçı/Brend

IXYS

Serial

HiPerFET™

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Chassis Mount

Paket / Çanta

SOT-227-4, miniBLOC

Təchizatçı Cihaz Paketi

SOT-227B

Gücün Dağılması (Maks.)

360W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

180nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

4500pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 38272 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

IXFN100N10S1

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B