IXYS IXFN66N50Q2 MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IXFN66N50Q2

MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B

Hissə nömrəsi

IXFN66N50Q2

İstehsalçı/Brend

IXYS

Serial

HiPerFET™

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Chassis Mount

Paket / Çanta

SOT-227-4, miniBLOC

Təchizatçı Cihaz Paketi

SOT-227B

Gücün Dağılması (Maks.)

735W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

500V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

66A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4.5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

199nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

6800pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 53402 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

IXFN100N10S1

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B