Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
IXFP12N50PM

IXFP12N50PM

MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
Hissə nömrəsi
IXFP12N50PM
İstehsalçı/Brend
Serial
HiPerFET™, PolarP2™
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Tube
Texnologiya
MOSFET (Metal Oxide)
İşləmə temperaturu
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Through Hole
Paket / Çanta
TO-220-3
Təchizatçı Cihaz Paketi
TO-220AB
Gücün Dağılması (Maks.)
50W (Tc)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
500V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ İd
5.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
29nC @ 10V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
1830pF @ 25V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
10V
Vgs (Maks.)
±30V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 17263 PCS
Əlaqə məlumatı
Açar sözlərIXFP12N50PM
IXFP12N50PM Elektron komponentlər
IXFP12N50PM Satış
IXFP12N50PM Təchizatçı
IXFP12N50PM Distribyutor
IXFP12N50PM Məlumat cədvəli
IXFP12N50PM Şəkillər
IXFP12N50PM Qiymət
IXFP12N50PM Təklif
IXFP12N50PM Ən aşağı qiymət
IXFP12N50PM Axtar
IXFP12N50PM Satınalma
IXFP12N50PM Çip