Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
IXFP5N100P

IXFP5N100P

MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220
Hissə nömrəsi
IXFP5N100P
İstehsalçı/Brend
Serial
HiPerFET™, PolarP2™
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Tube
Texnologiya
MOSFET (Metal Oxide)
İşləmə temperaturu
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Through Hole
Paket / Çanta
TO-220-3
Təchizatçı Cihaz Paketi
TO-220AB
Gücün Dağılması (Maks.)
250W (Tc)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
1000V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
2.8 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ İd
6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
33.4nC @ 10V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
1830pF @ 25V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
10V
Vgs (Maks.)
±30V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 26129 PCS
Əlaqə məlumatı
Açar sözlərIXFP5N100P
IXFP5N100P Elektron komponentlər
IXFP5N100P Satış
IXFP5N100P Təchizatçı
IXFP5N100P Distribyutor
IXFP5N100P Məlumat cədvəli
IXFP5N100P Şəkillər
IXFP5N100P Qiymət
IXFP5N100P Təklif
IXFP5N100P Ən aşağı qiymət
IXFP5N100P Axtar
IXFP5N100P Satınalma
IXFP5N100P Çip