IXYS IXT-1-1N100S1 MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

Çin
Peşəkar elektron komponent təchizatçısı

Kataloqlar İstehsalçılar CN ICs

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

IXT-1-1N100S1

MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

Hissə nömrəsi

IXT-1-1N100S1

İstehsalçı/Brend

IXYS

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

Montaj növü

Paket / Çanta

Təchizatçı Cihaz Paketi

Gücün Dağılması (Maks.)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

1000V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

1.5A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

Vgs(th) (Maks) @ İd

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

Vgs (Maks.)

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 29459 PCS

Əlaqə məlumatı