IXYS IXTD1R4N60P 11 MOSFET N-CH 600V

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

IXTD1R4N60P 11

MOSFET N-CH 600V

Hissə nömrəsi

IXTD1R4N60P 11

İstehsalçı/Brend

IXYS

Serial

PolarHV™

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

Die

Təchizatçı Cihaz Paketi

Die

Gücün Dağılması (Maks.)

50W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

1.4A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

9 Ohm @ 700mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5.5V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

5.2nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

140pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 48823 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

IXTD1R4N60P 11

MOSFET N-CH 600V