IXYS IXTQ102N20T MOSFET N-CH 200V 102A TO3P

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

IXTQ102N20T

MOSFET N-CH 200V 102A TO3P

Hissə nömrəsi

IXTQ102N20T

İstehsalçı/Brend

IXYS

Serial

TrenchHV™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-3P-3, SC-65-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-3P

Gücün Dağılması (Maks.)

750W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

200V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

102A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

114nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

6800pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

Vgs (Maks.)

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 54793 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

IXTQ100N25P

MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P