IXYS MMIX1F160N30T MOSFET N-CH 300V 102A SMPD

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

MMIX1F160N30T

MOSFET N-CH 300V 102A SMPD

Hissə nömrəsi

MMIX1F160N30T

İstehsalçı/Brend

IXYS

Serial

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

24-PowerSMD, 21 Leads

Təchizatçı Cihaz Paketi

24-SMPD

Gücün Dağılması (Maks.)

570W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

300V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

102A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

335nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2800pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 17464 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

MMIX1F132N50P3

MOSFET N-CH 500V 63A SMPD