Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
IXRFSM12N100
2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE
Hissə nömrəsi
IXRFSM12N100
İstehsalçı/Brend
Serial
SMPD
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Tube
Texnologiya
MOSFET (Metal Oxide)
İşləmə temperaturu
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Surface Mount
Paket / Çanta
16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
Təchizatçı Cihaz Paketi
16-SMPD
Gücün Dağılması (Maks.)
940W
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
1000V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 6A, 15V
Vgs(th) (Maks) @ İd
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
77nC @ 10V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
2875pF @ 800V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
15V
Vgs (Maks.)
±20V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 32041 PCS
Əlaqə məlumatı
Əlaqədar Məhsullar
Açar sözlərIXRFSM12N100
IXRFSM12N100 Elektron komponentlər
IXRFSM12N100 Satış
IXRFSM12N100 Təchizatçı
IXRFSM12N100 Distribyutor
IXRFSM12N100 Məlumat cədvəli
IXRFSM12N100 Şəkillər
IXRFSM12N100 Qiymət
IXRFSM12N100 Təklif
IXRFSM12N100 Ən aşağı qiymət
IXRFSM12N100 Axtar
IXRFSM12N100 Satınalma
IXRFSM12N100 Çip