Microsemi Corporation 1N6622US DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

1N6622US

DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF

Hissə nömrəsi

1N6622US

İstehsalçı/Brend

Microsemi Corporation

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Bulk

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SQ-MELF, A

Təchizatçı Cihaz Paketi

A-MELF

Diod növü

Standard

Cari - Orta Düzəliş (Io)

1.2A

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1.4V @ 1.2A

Cari - Əks Sızma @ Vr

500nA @ 660V

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

660V

Sürət

Fast Recovery = 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

30ns

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-65°C ~ 150°C

Kapasitans @ Vr, F

10pF @ 10V, 1MHz

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 27823 PCS

Əlaqə məlumatı