Microsemi Corporation 1N6630US DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

1N6630US

DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B

Hissə nömrəsi

1N6630US

İstehsalçı/Brend

Microsemi Corporation

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Bulk

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

E-MELF

Təchizatçı Cihaz Paketi

D-5B

Diod növü

Standard

Cari - Orta Düzəliş (Io)

1.4A

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1.7V @ 3A

Cari - Əks Sızma @ Vr

4µA @ 100V

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

900V

Sürət

Fast Recovery = 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

50ns

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-65°C ~ 150°C

Kapasitans @ Vr, F

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 21163 PCS

Əlaqə məlumatı