Microsemi Corporation SG2013J-883B TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SG2013J-883B

TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP

Hissə nömrəsi

SG2013J-883B

İstehsalçı/Brend

Microsemi Corporation

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

Güc - Maks

Təchizatçı Cihaz Paketi

16-CDIP

Transistor növü

7 NPN Darlington

Cari - Kollektor (Ic) (Maks.)

600mA

Gərginlik - Kollektor Emitentinin Dağılması (Maks.)

50V

Vce Doyma (Maks) @ Ib, Ic

1.9V @ 600µA, 500mA

Cari - Kollektor Kəsmə (Maks.)

DC cərəyanının qazancı (hFE) (Min) @ Ic, Vce

900 @ 500mA, 2V

Tezlik - Keçid

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 12006 PCS

Əlaqə məlumatı