Nexperia USA Inc. PHKD13N03LT,518 MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC

Çin
Peşəkar elektron komponent təchizatçısı

Kataloqlar İstehsalçılar CN ICs

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

PHKD13N03LT,518

MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC

Hissə nömrəsi

PHKD13N03LT,518

İstehsalçı/Brend

Nexperia USA Inc.

Serial

TrenchMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Güc - Maks

3.57W

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SO

FET növü

2 N-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

10.4A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

10.7nC @ 5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

752pF @ 15V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 49468 PCS

Əlaqə məlumatı