Nexperia USA Inc. PMDT290UCE,115 MOSFET N/P-CH 20V SOT666

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

PMDT290UCE,115

MOSFET N/P-CH 20V SOT666

Hissə nömrəsi

PMDT290UCE,115

İstehsalçı/Brend

Nexperia USA Inc.

Serial

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOT-563, SOT-666

Güc - Maks

500mW

Təchizatçı Cihaz Paketi

SOT-666

FET növü

N and P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

800mA, 550mA

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

0.68nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

83pF @ 10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 20305 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

PMDT290UCE,115

MOSFET N/P-CH 20V SOT666