Nexperia USA Inc. PMV30UN2R MOSFET N-CH 20V SOT23

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

PMV30UN2R

MOSFET N-CH 20V SOT23

Hissə nömrəsi

PMV30UN2R

İstehsalçı/Brend

Nexperia USA Inc.

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-236AB (SOT23)

Gücün Dağılması (Maks.)

490mW (Ta), 5W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

4.2A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

32 mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

655pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.2V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±12V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 7119 PCS

Əlaqə məlumatı