Nexperia USA Inc. PMZB200UNEYL MOSFET N-CH 30V SOT883

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

PMZB200UNEYL

MOSFET N-CH 30V SOT883

Hissə nömrəsi

PMZB200UNEYL

İstehsalçı/Brend

Nexperia USA Inc.

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

3-XFDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

DFN1006B-3

Gücün Dağılması (Maks.)

350mW (Ta), 6.25W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

1.4A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

250 mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

2.7nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

89pF @ 15V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.5V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 24296 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

PMZB1200UPEYL

MOSFET P-CH 30V SOT883