Nexperia USA Inc. PMZB370UNE,315 MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

PMZB370UNE,315

MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3

Hissə nömrəsi

PMZB370UNE,315

İstehsalçı/Brend

Nexperia USA Inc.

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

3-XFDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

3-DFN1006B (0.6x1)

Gücün Dağılması (Maks.)

360mW (Ta), 2.7W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

900mA (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

490 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.05V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

1.16nC @ 15V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

78pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 44598 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

PMZB1200UPEYL

MOSFET P-CH 30V SOT883