NXP USA Inc. BYC8B-600PQP DIODE GEN PURP 600V 8A

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

BYC8B-600PQP

DIODE GEN PURP 600V 8A

Hissə nömrəsi

BYC8B-600PQP

İstehsalçı/Brend

NXP USA Inc.

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Təchizatçı Cihaz Paketi

D2PAK

Diod növü

Standard

Cari - Orta Düzəliş (Io)

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

3.4V @ 8A

Cari - Əks Sızma @ Vr

20µA @ 600V

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

600V

Sürət

Fast Recovery = 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

18ns

İşləmə temperaturu - Qovşaq

175°C (Max)

Kapasitans @ Vr, F

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 30319 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

BYC8-1200PQ

BYC8-1200PQ/TO-220AC/STANDARD MA