NXP USA Inc. PH5525L,115 MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

PH5525L,115

MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK

Hissə nömrəsi

PH5525L,115

İstehsalçı/Brend

NXP USA Inc.

Serial

TrenchMOS™

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SC-100, SOT-669

Təchizatçı Cihaz Paketi

LFPAK56, Power-SO8

Gücün Dağılması (Maks.)

62.5W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

25V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

81.7A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.15V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

16.6nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2150pF @ 12V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 11282 PCS

Əlaqə məlumatı