NXP USA Inc. PHM12NQ20T,518 MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

PHM12NQ20T,518

MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON

Hissə nömrəsi

PHM12NQ20T,518

İstehsalçı/Brend

NXP USA Inc.

Serial

TrenchMOS™

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-VDFN Exposed Pad

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-HVSON (6x5)

Gücün Dağılması (Maks.)

62.5W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

200V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

14.4A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

26nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1230pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 31594 PCS

Əlaqə məlumatı