NXP USA Inc. PHT6N06LT,135 MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

PHT6N06LT,135

MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223

Hissə nömrəsi

PHT6N06LT,135

İstehsalçı/Brend

NXP USA Inc.

Serial

TrenchMOS™

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-261-4, TO-261AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

SOT-223

Gücün Dağılması (Maks.)

1.8W (Ta), 8.3W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

55V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2.5A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

150 mOhm @ 5A, 5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

4.5nC @ 5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

330pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

Vgs (Maks.)

±13V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 12211 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

PHT6N06LT,135

MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223