NXP USA Inc. PHX8NQ11T,127 MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A

Çin
Peşəkar elektron komponent təchizatçısı

Kataloqlar İstehsalçılar CN ICs

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

PHX8NQ11T,127

MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A

Hissə nömrəsi

PHX8NQ11T,127

İstehsalçı/Brend

NXP USA Inc.

Serial

TrenchMOS™

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-220-3

Gücün Dağılması (Maks.)

27.7W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

110V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

7.5A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

14.7nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

360pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 16699 PCS

Əlaqə məlumatı