NXP USA Inc. PMDPB38UNE,115 MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

PMDPB38UNE,115

MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

Hissə nömrəsi

PMDPB38UNE,115

İstehsalçı/Brend

NXP USA Inc.

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

6-UDFN Exposed Pad

Güc - Maks

510mW

Təchizatçı Cihaz Paketi

DFN2020-6

FET növü

2 N-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

46 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

4.4nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

268pF @ 10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 10515 PCS

Əlaqə məlumatı