NXP USA Inc. PMF3800SN,115 MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

PMF3800SN,115

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323

Hissə nömrəsi

PMF3800SN,115

İstehsalçı/Brend

NXP USA Inc.

Serial

TrenchMOS™

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SC-70, SOT-323

Təchizatçı Cihaz Paketi

SOT-323-3

Gücün Dağılması (Maks.)

560mW (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

260mA (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

4.5 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

0.85nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

40pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±15V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 25667 PCS

Əlaqə məlumatı