NXP USA Inc. PMWD19UN,518 MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

PMWD19UN,518

MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

Hissə nömrəsi

PMWD19UN,518

İstehsalçı/Brend

NXP USA Inc.

Serial

TrenchMOS™

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Güc - Maks

2.3W

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-TSSOP

FET növü

2 N-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

5.6A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

700mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

28nC @ 5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1478pF @ 10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 34840 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

PMWD15UN,518

MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP