ON Semiconductor BVSS123LT1G MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

BVSS123LT1G

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

Hissə nömrəsi

BVSS123LT1G

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

SOT-23-3

Gücün Dağılması (Maks.)

225mW (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

170mA (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

6 Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

20pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 22744 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

BVSS123LT1G

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3