ON Semiconductor DBD10G-E DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V 4DIP

Çin
Peşəkar elektron komponent təchizatçısı

Kataloqlar İstehsalçılar CN ICs

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

DBD10G-E

DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V 4DIP

Hissə nömrəsi

DBD10G-E

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Box (TB)

Texnologiya

Standard

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Təchizatçı Cihaz Paketi

Diod növü

Single Phase

Gərginlik - Pik Əks (Maks)

600V

Cari - Orta Düzəliş (Io)

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1.05V @ 500mA

Cari - Əks Sızma @ Vr

10µA @ 600V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 33971 PCS

Əlaqə məlumatı