ON Semiconductor FCMT199N60 MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

FCMT199N60

MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88

Hissə nömrəsi

FCMT199N60

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

SuperFET® II

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

4-PowerTSFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

Power88

Gücün Dağılması (Maks.)

208W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

20.2A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

199 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

74nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2950pF @ 100V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 49884 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

FCMT099N65S3

MOSFET N-CH 650V 30A POWER88