ON Semiconductor FCP104N60F MOSFET N-CH 600V TO-220

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

FCP104N60F

MOSFET N-CH 600V TO-220

Hissə nömrəsi

FCP104N60F

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

HiPerFET™, Polar™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-220-3

Gücün Dağılması (Maks.)

357W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

37A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

104 mOhm @ 18.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

145nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

6130pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 11860 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

FCP104N60

MOSFET N-CH 600V 37A TO-220