ON Semiconductor FDD3510H MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

FDD3510H

MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

Hissə nömrəsi

FDD3510H

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

PowerTrench®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

Güc - Maks

1.3W

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-252-4L

FET növü

N and P-Channel, Common Drain

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

80V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

4.3A, 2.8A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

18nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

800pF @ 40V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 34520 PCS

Əlaqə məlumatı