ON Semiconductor FDD3860 MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

FDD3860

MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK

Hissə nömrəsi

FDD3860

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

PowerTrench®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Təchizatçı Cihaz Paketi

D-PAK (TO-252AA)

Gücün Dağılması (Maks.)

3.1W (Ta), 69W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

6.2A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

36 mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

31nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1740pF @ 50V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 54212 PCS

Əlaqə məlumatı