ON Semiconductor FDG311N MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

FDG311N

MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6

Hissə nömrəsi

FDG311N

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

PowerTrench®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Təchizatçı Cihaz Paketi

SC-70-6

Gücün Dağılması (Maks.)

750mW (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

1.9A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

115 mOhm @ 1.9A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

270pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

2.5V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 25446 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

FDG311N

MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6