ON Semiconductor FDR838P MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

FDR838P

MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8

Hissə nömrəsi

FDR838P

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SMD, Gull Wing

Təchizatçı Cihaz Paketi

SuperSOT™-8

Gücün Dağılması (Maks.)

1.8W (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

8A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

45nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

3300pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

2.5V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 30624 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

FDR8305N

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8