ON Semiconductor FDS3512 MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

FDS3512

MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC

Hissə nömrəsi

FDS3512

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

PowerTrench®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SO

Gücün Dağılması (Maks.)

2.5W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

80V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

4A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

70 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

18nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

634pF @ 40V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

6V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 13002 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

FDS3170N7

MOSFET N-CH 100V 6.7A 8-SOIC