ON Semiconductor FDS5170N7 MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

FDS5170N7

MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC

Hissə nömrəsi

FDS5170N7

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

PowerTrench®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SO

Gücün Dağılması (Maks.)

3W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

10.6A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 10.6A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

71nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2889pF @ 30V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

6V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 13712 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

FDS5170N7

MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC