ON Semiconductor FDU8586 MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

FDU8586

MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK

Hissə nömrəsi

FDU8586

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

PowerTrench®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-251AA

Gücün Dağılması (Maks.)

77W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

35A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

48nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2480pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 27416 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

FDU8580

MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK