ON Semiconductor FDV302P MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

FDV302P

MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

Hissə nömrəsi

FDV302P

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

SOT-23

Gücün Dağılması (Maks.)

350mW (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

25V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

120mA (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

10 Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

0.31nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

11pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

2.7V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 26747 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

FDV301N

MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23