ON Semiconductor FQD10N20LTM MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

FQD10N20LTM

MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

Hissə nömrəsi

FQD10N20LTM

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

QFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-252, (D-Pak)

Gücün Dağılması (Maks.)

2.5W (Ta), 51W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

200V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

7.6A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

360 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

17nC @ 5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

830pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 43081 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

FQD10N20CTF

MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK