FQD12N20TM
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Hissə nömrəsi
FQD12N20TM
İstehsalçı/Brend
Serial
QFET®
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Cut Tape (CT)
Texnologiya
MOSFET (Metal Oxide)
İşləmə temperaturu
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Surface Mount
Paket / Çanta
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Təchizatçı Cihaz Paketi
D-Pak
Gücün Dağılması (Maks.)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
200V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
280 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ İd
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
23nC @ 10V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
910pF @ 25V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
10V
Vgs (Maks.)
±30V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 13374 PCS
Əlaqə məlumatı
Əlaqədar Məhsullar
Açar sözlərFQD12N20TM
FQD12N20TM Elektron komponentlər
FQD12N20TM Satış
FQD12N20TM Təchizatçı
FQD12N20TM Distribyutor
FQD12N20TM Məlumat cədvəli
FQD12N20TM Şəkillər
FQD12N20TM Qiymət
FQD12N20TM Təklif
FQD12N20TM Ən aşağı qiymət
FQD12N20TM Axtar
FQD12N20TM Satınalma
FQD12N20TM Çip