ON Semiconductor FQT7N10LTF MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

FQT7N10LTF

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

Hissə nömrəsi

FQT7N10LTF

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

QFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-261-4, TO-261AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

SOT-223-4

Gücün Dağılması (Maks.)

2W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

1.7A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

350 mOhm @ 850mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

6nC @ 5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

290pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 41657 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

FQT7N10LTF

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223