ON Semiconductor FQU2N100TU MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

FQU2N100TU

MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK

Hissə nömrəsi

FQU2N100TU

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

QFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

I-PAK

Gücün Dağılması (Maks.)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

1000V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

1.6A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

9 Ohm @ 800mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

15.5nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

520pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 33358 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

FQU20N06LTU

MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK