ON Semiconductor HGT1S10N120BNS IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

HGT1S10N120BNS

IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Hissə nömrəsi

HGT1S10N120BNS

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Not For New Designs

Qablaşdırma

Tube

Giriş növü

Standard

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Güc - Maks

298W

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-263AB

Əks Bərpa Müddəti (trr)

Cari - Kollektor (Ic) (Maks.)

35A

Gərginlik - Kollektor Emitentinin Dağılması (Maks.)

1200V

IGBT növü

NPT

Vce(on) (Maks) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

Cari - Kollektor Pulsed (Icm)

80A

Enerjinin dəyişdirilməsi

320µJ (on), 800µJ (off)

Qapı yükü

100nC

Td (on/off) @ 25°C

23ns/165ns

Test Vəziyyəti

960V, 10A, 10 Ohm, 15V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 36853 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

HGT1N30N60A4D

IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227