ON Semiconductor HGT1S12N60A4S9A IGBT 600V 54A 167W TO263AB

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

HGT1S12N60A4S9A

IGBT 600V 54A 167W TO263AB

Hissə nömrəsi

HGT1S12N60A4S9A

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Giriş növü

Standard

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Güc - Maks

167W

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-263AB

Əks Bərpa Müddəti (trr)

Cari - Kollektor (Ic) (Maks.)

54A

Gərginlik - Kollektor Emitentinin Dağılması (Maks.)

600V

IGBT növü

Vce(on) (Maks) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Cari - Kollektor Pulsed (Icm)

96A

Enerjinin dəyişdirilməsi

55µJ (on), 50µJ (off)

Qapı yükü

78nC

Td (on/off) @ 25°C

17ns/96ns

Test Vəziyyəti

390V, 12A, 10 Ohm, 15V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 53955 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

HGT1N30N60A4D

IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227