ON Semiconductor J112-D26Z JFET N-CH 35V 625MW TO92

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

J112-D26Z

JFET N-CH 35V 625MW TO92

Hissə nömrəsi

J112-D26Z

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Güc - Maks

625mW

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-92-3

FET növü

N-Channel

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

Gərginlik - Dağılma (V(BR)GSS)

35V

Cari - Drenaj (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Cari Drenaj (Id) - Maks

Gərginlik - Kəsmə (VGS off) @ Id

1V @ 1µA

Müqavimət - RDS(Aktiv)

50 Ohms

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 41575 PCS

Əlaqə məlumatı