ON Semiconductor NDDL01N60Z-1G MOSFET N-CH 600V 0.8A IPAK

Çin
Peşəkar elektron komponent təchizatçısı

Kataloqlar İstehsalçılar CN ICs

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

NDDL01N60Z-1G

MOSFET N-CH 600V 0.8A IPAK

Hissə nömrəsi

NDDL01N60Z-1G

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

IPAK (TO-251)

Gücün Dağılması (Maks.)

26W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

800mA (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

15 Ohm @ 400mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

4.9nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

92pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 9756 PCS

Əlaqə məlumatı