ON Semiconductor NDT01N60T1G MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

NDT01N60T1G

MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223

Hissə nömrəsi

NDT01N60T1G

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-261-4, TO-261AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

SOT-223 (TO-261)

Gücün Dağılması (Maks.)

2.5W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

400mA (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

8.5 Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.7V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

7.2nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

160pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 36713 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

NDT014

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4